Conception des dispositifs actifs hyperfréquences Traité EGEM, série Electronique et micro-électronique

Cet ouvrage présente les méthodes de conception des principaux dispositifs actifs hyperfréquences. Le premier chapitre est consacré aux amplificateurs fonctionnant en régime linéaire. On présente les problématiques d’adaptation d’impédance bande étroite et large bande, de stabilité, de polarisation et de facteur de bruit ainsi que des topologies particulières telles que l’amplificateur distribué et l’amplificateur différentiel. Le second chapitre concerne le fonctionnement des amplificateurs de puissance. Les aspects spécifiques de rendement, adaptation d’impédance et de classe de fonctionnement sont présentés de même que les principales méthodes de linéarisation et d’amélioration du rendement. La transposition de fréquence fait l’objet du troisième chapitre. On présente le principe de fonctionnement ainsi que les différentes topologies utilisant les transistors et les diodes. Le quatrième chapitre est consacré au fonctionnement des oscillateurs à fréquence fixe et accordables tels que les VCO et YIG. Enfin le dernier chapitre présente les principales fonctions de contrôle que sont les atténuateurs, les déphaseurs et les commutateurs.

Chapitre 1. Amplification en régime linéaire

Jean-Luc GAUTIER et Sébastien QUINTANEL

1.1. Principes de l’amplification en hyperfréquences

1.2. Amplificateur bande étroite à gain maximum

1.3. Amplificateur faible bruit bande étroite

1.4. Configurations spécifiques à transistors

1.5. Amplification large bande

1.6. Amplificateur différentiel

1.7. Bibliographie

Chapitre 2. Amplification de puissance

Jean-Luc GAUTIER, Myriam ARIAUDO et Cédric DUPERRIER

2.1. Caractéristiques des amplificateurs de puissance

2.2. Analyse du fonctionnement d’un amplificateur de puissance

2.3. Classes de fonctionnement

2.4. Architectures des amplificateurs de puissance

2.5. Exemple de conception d’un amplificateur en classe B

2.6. Linéarisation et amélioration du rendement

2.7. Bibliographie

Chapitre 3. Transposition de fréquence

Jean-Luc GAUTIER

3.1. Principe de fonctionnement

3.2. Caractéristiques des mélangeurs

3.3. Fonctionnement d’un mélangeur simple

3.4. Topologies équilibrées

3.5. Topologies de mélangeurs passifs et actifs

3.6. Multiplicateurs de fréquence

3.7. Bibliographie

Chapitre 4. Oscillateurs

Jean-Luc GAUTIER

4.1. Principes de fonctionnement

4.2. Analyse des oscillateurs de type dipôle

4.3. Caractéristiques des oscillateurs

4.4. Impédance à partie réelle négative

4.5. Oscillateurs à fréquence fixe

4.6. Oscillateurs accordables électroniquement

4.7. Bibliographie

Chapitre 5. Fonctions de contrôle

Jean-Luc GAUTIER

5.1. Composants semi-conducteurs pour les fonctions de contrôle

5.2. Atténuateurs variables

5.3. Déphaseurs variables

5.4. Commutateurs

5.5. Bibliographie

Annexe 1. Quadripôles sans pertes : désadaptation

Annexe 2. Amplificateur équilibré et bruit

Annexe 3. Configurations spécifiques à transistors

Annexe 4. Adaptation d’impédance large bande : quadripôles réactifs

Annexe 5. Adaptation d’impédance large bande : quadripôles dissipatifs

Annexe 6. Amplification large bande : contre-réaction résistive parallèle

Annexe 7. Méthode graphique

Annexe 8. Amplificateur distribué

Annexe 9. Amplificateur différentiel

Annexe 10. Intermodulation d’ordre 3

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