Halbleiter-Leistungsbauelemente (2nd Ed., 2. Aufl. 2012) Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit
Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.
Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente Grundlagen.- Halbleiterbauelemente.- Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen.- Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen.- Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen.- Leistungselektronische Systeme.- Sachwortregister.
Date de parution : 11-2012
Ouvrage de 383 p.
16.8x24 cm
Thème de Halbleiter-Leistungsbauelemente :
Mots-clés :
Bipolare Transistoren; Halbleiter; Halbleiterphysik; Halbleiterphysikalische Grundlagen; Herstellungstechnologie; IGBTs; MOS Transistoren; MOSFET; Robustheit; Schnelle Dioden; Schottky-Dioden; SchwingungseffekteSiC Bauelemente; Superjunction Bauelemente; Systemintegration; Thyristoren; Zuverlässigkeit; pn-Übergänge